2023년 06월 05일 월요일

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HBM 검색결과

[총 7건 검색]

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삼성전자, '스노우볼트' 상표 출원···HBM 공격 마케팅

전기·전자

삼성전자, '스노우볼트' 상표 출원···HBM 공격 마케팅

삼성전자가 SK하이닉스에 선두를 빼앗긴 고대역폭 메모리(HBM) 시장 공략에 적극 나선다. 3일 특허청 특허정보검색서비스 키프리스에 따르면 삼성전자는 지난달 26일 '스노우볼트(Snowbolt)'라는 상표를 출원 등록해 심사를 기다리고 있다. 삼성전자는 상품설명을 통해 이 상표가 고성능 컴퓨팅 장비, 인공지능, 슈퍼 컴퓨팅 장비용 고대역폭 D램 모듈, 그래픽 카드용 고대역폭 D램이라고 설명했다. 삼성전자에 따르면 이 상표는 차세대 HBM 브랜

"챗GPT 올라타자" SK하이닉스, '세계 최초' HBM 12단 적층

전기·전자

"챗GPT 올라타자" SK하이닉스, '세계 최초' HBM 12단 적층

SK하이닉스가 현존 최고 성능 D램인 'HBM3'의 기술적 한계를 다시 한번 넘어섰다. 현재 메모리 반도체 시장은 세트업체의 수요 부진에 어려움을 겪고 있는데 챗GPT 효과로 HBM 수요는 늘어날 것이란 기대감이 커지고 있다. SK하이닉스는 20일 세계 최초로 D램 단품 칩 12개를 수직 적층해 현존 최고 용량인 24GB(기가바이트)를 구현한 HBM3 신제품을 개발하고 고객사로부터 제품의 성능 검증을 받고 있다고 밝혔다. HBM은 여러 개의

삼성·하이닉스, 위기 국면에 'AI 반도체' 한줄기 희망

전기·전자

삼성·하이닉스, 위기 국면에 'AI 반도체' 한줄기 희망

'생성형 AI'인 챗GPT가 돌풍을 일으키며 AI 반도체가 반도체 업계의 새로운 성장동력으로 떠오르고 있다. 박정호 SK하이닉스 부회장은 지난 15일 열린 한림대 도헌학술원 개원 기념 학술심포지엄에 참석해 "아이폰이 메모리 기술 발전에 기여했다면 AI 챗봇 서비스는 반도체 수요의 새로운 '킬러 애플리케이션'이 될 것"이라고 밝혔다. 킬러 애플리케이션이란 처음 시장에 진입한 후 완전히 새로운 카테고리를 형성하면서 시장을 재편하는 상

업계 최고 성능 D램 'HBM3'···SK하이닉스, 메모리 경쟁력 쭉쭉

[와! 테크]업계 최고 성능 D램 'HBM3'···SK하이닉스, 메모리 경쟁력 쭉쭉

SK하이닉스의 D램 중 가장 뛰어난 성능을 자랑하는 'HBM3(High Bandwidth Memory3)'가 개발 7개월 만에 공급을 시작하면서 시장 관심이 커지고 있다. HBM3가 개발과 동시에 D램 시장에서 업계 최고 사양이라는 타이틀을 거머쥐면서 이 같은 기대감은 더욱 커지는 모습이다. 16일 업계에 따르면 HMB3는 3세대 'HBM2E'의 후속 제품으로 지금까지 출시한 SK하이닉스의 D램 중에서도 최고 속도와 최대 용량을 구현했으며 품질 수준까지 향상됐

SK하이닉스, 'HBM3' D램 양산 시작···美 엔비디아에 공급

SK하이닉스, 'HBM3' D램 양산 시작···美 엔비디아에 공급

SK하이닉스가 현존 세계 최고 사양 D램 'HBM3' 양산을 개시했다고 9일 밝혔다. 지난해 10월 말 세계 최초로 개발한 HBM3는 불과 7개월 만에 공급이 시작된 셈이다. HBM(High Bandwidth Memory)은 여러 개의 D램을 수직으로 연결해 기존 D램보다 데이터 처리 속도를 혁신적으로 끌어올린 고부가가치, 고성능 제품이다. 이번 차세대 D램 HBM3는 FHD(Full-HD) 영화 163편을 1초에 전송하는 속도를 구현한다. 최근 글로벌 빅테크 기업들은 인

SK하이닉스, 美서 ‘2014 SK하이닉스 HBM 심포지엄’ 개최

SK하이닉스, 美서 ‘2014 SK하이닉스 HBM 심포지엄’ 개최

SK하이닉스가 18일(현지시간) 미국 산호세에 위치한 미국법인에서 ‘2014 SK하이닉스 HBM(High Bandwidth Memory, 초고속 메모리) 심포지엄’을 개최했다. 이번 행사에는 관련 산업을 주도하는 20여개 주요고객 및 파트너 업체에서 100여명이 참석해 SK하이닉스의 HBM 기술에 대한 높은 관심을 드러냈다. SK하이닉스는 지난해 말 TSV(Through Silicon Via, 실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM을 업계 최초로 개발하고 올해 상반기 고객들에게 샘플을 전달한 바 있다. 이어 이번 심

SK하이닉스, 고성능·저전력·고용량 초고속메모리 개발

SK하이닉스, 고성능·저전력·고용량 초고속메모리 개발

SK하이닉스가 업계 최초로 TSV(실리콘관통전극) 기술을 적용한 HBM(초고속 메모리) 제품을 개발하는데 성공했다고 26일 밝혔다. 이 제품은 JEDEC에서 표준화를 진행 중인 고성능·저전력·고용량 D램 제품이다. 1.2V 동작전압에서 1Gbps 처리 속도를 구현할 수 있어 1024개의 정보출입구(I/O)를 통해 초당 128GB의 데이터 처리가 가능하다. 특히 초당 28GB의 데이터를 처리하는 현재 업계 최고속 제품인 GDDR5보다 4배 이상 빠르며 전력소비는 40% 가량 낮춘 것이 특징이다.

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