PCB 제조 기술 MSAP 채택할 것으로 예상전작 대비 속도·메모리 채널 등 성능 개선
삼성전자는 차세대 D램에 MSAP 공법을 적용해 더 미세한 회로를 구현하면서 높아지는 메모리반도체 성능에 대응하고 사업 경쟁력을 강화하겠다는 전략으로 해석된다.
19일 업계에 따르면 삼성전자는 DDR6 개발을 위해 MSAP 기술 채택을 계획하는 등 메모리반도체 개발에 힘쓰고 있다.
MSAP는 차세대 인쇄회로기판(PCB) 제조 기술이다. 삼성전자가 기존에 사용하고 있는 기술로 알려진 텐팅(Tenting) 기법은 원판을 구리로 도금해 회로를 형성할 부분만 코팅하고 나머지 부분은 화학약품으로 식각하는 과정을 거친다.
반면 MSAP는 회로가 아닌 부분을 먼저 코팅하고 빈 부분을 도금하기에 보다 미세한 회로 구현이 가능하다.
2024년 양산 예정인 DDR6는 전작(DDR5) 대비 최대 2배 빠른 데이터 전송 처리 속도와 메모리 채널 수를 제공할 것으로 예측된다.
삼성전자 관계자는 "앞으로 업계는 대체로 가능성 있는 기술 등을 많이 얘기할 것이기 때문에 자사도 차세대 메모리반도체에 MSAP 기술 적용을 검토할 수 있고 이런 기술도 나올 수 있다"고 설명했다.
단 업계에서는 현재 DDR5의 공급 계획에 차질이 빚어지고 있는 만큼 DDR6 개발이 완료되더라도 실질적 양산과 물량 공급, 글로벌 PC 시장 상용화 등까지 소요되는 시간은 더 걸릴 것으로 예상했다.
DDR5는 DDR4보다 2배가량 빠른 속도와 30% 향상된 전력 효율을 갖춘 차세대 메모리 규격이다.
특히 DDR5를 지원하는 인텔의 서버용 중앙처리장치(CPU) '사파이어래피즈' 출시가 지연되면서 삼성전자와 SK하이닉스의 DDR5 양산 일정도 차일피일 밀리고 있는 상황이다.
앞서 인텔은 지난해 3분기 사파이어래피즈를 출시할 계획이었지만 1년가량 세상에 모습을 드러내지 않고 있다.
일각에선 D램은 특성상 CPU나 그래픽처리장치(GPU) 없이 단독으로 판매할 수 없어 인텔의 CPU 출시 지연은 삼성전자와 SK하이닉스의 D램 양산 일정에도 차질을 빚으면서 수익성 훼손까지도 이어질 수 있다는 우려의 목소리도 나온다.
삼성전자 관계자는 "D램뿐 아니라 다른 제품들도 계속해서 함께 생산해내고 있기 때문에 인텔의 CPU 출시 지연은 자사에서 큰 문제는 없을 것으로 보인다"고 말했다.
삼성전자와 하이닉스의 고심이 커지는 가운데 양사가 주력으로 하고 있는 D램 평균가격이 올해 3분기 최대 10%까지 하락하는 등 메모리반도체 업황 성장 둔화 우려에도 빨간불이 켜졌다.
대만 시장조사업체 트렌드포스는 3분기 D램 가격이 이전 3~8%에서 10%로 떨어질 것으로 전망했다. 이는 러시아-우크라이나 전쟁 장기화와 높은 인플레이션 등으로 스마트폰, 노트북, PC 등 IT 제품과 가전제품 수요가 감소하면서 D램 재고가 쌓였기 때문으로 관측된다.
향후 기업들의 메모리반도체 판매 경쟁이 가격 전쟁으로 이어진다면 D램 가격은 10%보다 더 하락할 수도 있을 것으로 보인다.

뉴스웨이 윤서영 기자
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