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시장조사기관 옴디아가 7일 발표한 통계에 따르면 삼성전자 파운드리 사업부의 지난해 매출은 208억달러로 집계됐다. 이는 지난 2018년 집계치보다 91억달러 늘어난 것이며 5년간 연평균 15.6%의 매출 성장률을 기록했다.
삼성전자의 1분기 반도체 사업은 메모리 업황 악화와 파운드리 수요 위축 여파로 4조5800억원의 적자를 냈다. 그러나 2분기에는 1분기보다 실적이 소폭 개선될 것이라는 전망이 나오고 있다.
삼성전자의 파운드리 최신 공정인 4나노(㎚) 공정에 대한 긍정적 소식도 이어지고 있다. 삼성전자는 퀄컴의 새로운 모바일 애플리케이션 프로세서를 4나노 기반으로 생산할 전망이고 지난 4월부터는 4나노 공정 기반의 멀티 프로젝트 웨이퍼 서비스도 시작했다.
또한 미국의 반도체 기업 AMD가 4나노 공정 기반 중앙처리장치 신제품 생산을 삼성전자에 맡길 것이라는 외신 보도도 이어졌다.
삼성전자는 현재 40%포인트 이상 벌어진 TSMC와의 파운드리 시장 점유율 격차를 5년 안에 뒤집겠다는 포부를 밝힌 상황이다. 지난해 4분기 기준 TSMC의 세계 파운드리 시장 점유율은 58.5%, 삼성전자의 점유율은 15.8%다. 두 회사 간의 격차는 42.7%다.
경계현 삼성전자 디바이스솔루션(DS)부문장(사장)은 지난 4일 한국과학기술원(KAIST)에서 열린 강연에서 "파운드리는 TSMC가 훨씬 잘한다"면서 "냉정히 얘기하면 4나노 기술력은 삼성이 2년 정도 뒤처졌고 3나노는 길이 다르지만 1년 정도 뒤처진 것 같다"고 말했다.
삼성전자는 지난해 6월 세계 최초로 차세대 트랜지스터인 GAA 구조를 적용한 3나노 양산을 시작했다. 2025년 2나노, 2027년 1.4나노까지 계획 중이다. 반면 TSMC는 작년 12월 기존 핀펫(FinFET) 트랜지스터 구조의 3나노 양산을 공식화했다.
경 사장은 "2나노로 가면 TSMC도 GAA로 갈텐데 그때는 TSMC와 똑같이 갈 것"이라고 자신했다.
삼성전자에 따르면 3나노 GAA 1세대 공정이 기존 5나노 핀펫 공정과 비교해 전력을 45% 절감하면서 성능은 23% 높이고, 반도체 면적을 16% 줄이는 효과가 나타났다.
정기봉 삼성전자 파운드리사업부 부사장은 지난달 실적 콘퍼런스콜에서 "GAA의 기술을 적용한 3나노 1세대 공정으로 지난 분기에 이어 안정적인 수율로 양산 중"이라며 "2세대 공정 역시 1세대 경험을 토대로 양산성 높은 공정으로 차질 없이 개발 중"이라고 밝혔다.
2나노 설계 기초 인프라도 개발 순항 중이다. 삼성전자는 오는 6월 27~28일 미국 캘리포니아주 산호세를 시작으로 7월 4일에는 한국에서 삼성 파운드리 포럼을 열고 이후 독일 뮌헨, 일본 도쿄, 중국 등에서도 포럼을 열어 파운드리 사업의 로드맵과 신기술을 발표한다.
뉴스웨이 이지숙 기자
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