삼성전자, 3세대 D램 ‘플래시볼트’ 양산

삼성전자는 올 1월부터 3세대 D램 ‘플래시볼트(Flashbolt)’를 양산한다고 4일 밝혔다.

플래시볼트는 차세대 슈퍼컴퓨터(HPC)와 인공지능(AI) 기반 초고속 데이터 분석에 활용될 수 있는 16기가바이트(GB) 용량의 3세대 고대역폭 메모리(HBM2E) D램이다. 2017년 12월부터 양산한 2세대 D램(아쿠아볼트) 대비 속도와 용량이 각각 1.3배, 2.0배 향상됐다.

삼성전자는 16GB D램 칩에 5600개 이상의 미세한 구멍을 뚫고 총 4만개 이상의 TSV 접합볼로 8개 칩을 수직 연결한 ‘초고집적 실리콘 관통 전극(TSV) 설계 기술’을 이 제품에 적용했다.

삼성전자는 “기존 인공지능 기반 초고속 데이터 분석과 고성능 그래픽 시스템을 개선하고, 프리미엄 메모리 시장의 수요 확대를 적극 주도해 나갈 계획”이라고 설명했다.