SK하이닉스, D램 양산용 '차세대 노광장치' 도입···"업계 첫 사례"

그래픽=홍연택 기자

SK하이닉스가 메모리 업계 최초로 양산용 'Hihg(하이) NA EUV' 장비를 이천 M16팹(Fab)에 반입했다.

3일 SK하이닉스는 이날 이천캠퍼스에서 'High NA EUV' 도입 기념 행사를 열었다고 밝혔다.

기념식엔 김병찬 ASML코리아 사장, SK하이닉스의 차선용 부사장(미래기술연구원장, CTO)과 이병기 부사장(제조기술 담당) 등이 참석했다.

이번에 들여온 장비는 네덜란드 ASML의 '트윈스캔 EXE:5200B'다. High NA EUV 최초의 양산용 모델로 유명하다. 기존 EUV(NA 0.33) 대비 40% 향상된 광학 기술(NA 0.55)로 1.7배 더 정밀한 회로 형성이 가능하며, 2.9배 높은 집적도를 구현할 수 있다.

SK하이닉스는 장비 도입을 통해 기존 EUV 공정을 단순화하고 차세대 메모리 개발 속도를 높여 제품 성능과 원가 경쟁력을 동시에 확보할 계획이다. 이로써 고부가가치 메모리 시장에서의 입지를 강화하고 기술 리더십을 더욱 공고히 할 것으로 기대하고 있다.

SK하이닉스는 2021년 10나노급 4세대(1anm) D램에 EUV를 첫 도입한 이후 최첨단 D램 제조에 EUV 적용을 지속 확대해왔다.

김병찬 ASML코리아 사장은 "High NA EUV는 반도체 산업의 미래를 여는 핵심 기술"이라며 "SK하이닉스와 긴밀히 협력해 차세대 메모리 반도체 기술 혁신을 앞당길 수 있도록 적극 지원하겠다"고 말했다.

이어 차선용 SK하이닉스 CTO는 "장비 도입으로 회사가 추진 중인 미래 기술 비전을 실현하기 위한 핵심 인프라를 확보하게 됐다"며 "급성장하는 AI와 차세대 컴퓨팅 시장이 요구하는 최첨단 메모리를 가장 앞선 기술로 구현해 AI 메모리 시장을 선도하겠다"고 자신했다.