GIST 이창열 박사 연구팀, 고효율·고전도성 페로브스카이트 양자점 개발
GIST(지스트, 총장 문승현) 고등광기술연구소(APRI, 소장 석희용) 이창열 박사 연구팀은 이재석 교수(GIST 신소재공학부)와 공동으로 발광다이오드(LED)용 고품질 페로브스카이트 양자점 합성법 및 양자점 박막 개발에 성공하였다. 양자점은 화학적 합성 공정을 통해 만드는 나노미터(nm=10억분의 1m) 크기 반도체 결정체를 의미한다. 양자점 소재는 높은 발광효율과 색순도를 가져 TV 및 모바일 시장에서 상용되고 있는 유기발광다이오드