조덕수 RFHIC 대표 “국내 유일 GaN 트랜지스터로 ‘5G 시대’ 공략”

무선통신·방위산업에 반도체 부품 공급실리콘 기반 소재보다 효율성 더 뛰어난GaN 소재 트랜지스터 국내 유일 생산5G에 더 적합한 부품으로 성장성 높아

사진=RFHIC 제공

코스닥 상장을 앞둔 RFHIC의 조덕수 대표이사가 “국내 최초의 GaN 트랜지스터를 개발한 데 이어 ‘GaN on Diamond’와 같은 신소재 개발을 통해 본격적인 화합물 반도체 회사로 나아가 5G 시대를 공략하겠다”고 말했다.

조 대표는 21일 여의도에서 열린 IPO 기자간담회에서 이 같이 말하며 “기술 개발과 글로벌 파트너 확보를 통해 국내 시장을 넘어 글로벌 시장에서 실적 고성장을 이룰 수 있는 단계에 와 있다”고 강조했다.

1999년 설립된 RFHIC는 국내 1위 무선주파수(RF·Radio Frequency) 증폭기 제조업체로 무선통신장비용 반도체 부품을 전문적으로 생산·판매하고 있다.

주력 분야는 RF 신호 증폭의 핵심 부품인 트랜지스터와, 이를 포함한 다양한 부품으로 조합된 증폭 모듈인 RF 전력증폭기의 개발과 생산이다.

특히 국내 최초로 차세대 화합물 반도체 소재인 GaN(GaN on SiC, 탄화규소 기판 위에 질화갈륨을 성장시킨 구조) 개발, 생산하는 데 성공해 이 소재를 적용한 트랜지스터와 전력증폭기를 생산하고 있다.

GaN 소재는 기존 실리콘 기반의 LDMOS에 비해 효율은 10% 올리면서 크기는 50% 줄일 수 있다는 장점이 있다. 열전도도 역시 LDMOS보다 5배 높고 전력 사용량은 20% 가량 적어 더 많은 장비를 필요로 하는 5G 시대에 필수적인 부품이라고 회사 측은 설명했다.

조 대표는 “IoT(사물인터넷)을 중심으로 하는 5G는 기기간 통신이 필요하고 다양한 기기에 연결해야하기 때문에 기존보다 장비가 훨씬 더 많이 필요하다”며 “5G 시대가 예상보다 빠르게 다가오고 있어 GaN 관련 시장은 더욱 성장할 것으로 본다”고 설명했다.

5G 시장은 2020년 378억 달러 규모에서 2026년 1조5700억 달러 규모까지 성장할 것으로 전망된다. 세계 유수의 통신사들은 5G 상용화 및 시범서비스를 이미 시작했거나 조만간 시행을 계획하고 있다.

이에 따라 통신용 GaN 관련 시장 역시 기존 LDMOS 시장을 대체해 2017년 6억3000만 달러에서 2021년 13억3000만 달러 규모로 성장할 것으로 시장분석업체 Yole Development는 내다봤다.

GaN 소재는 LDMOS에 비해 가격이 다소 높으나 최근 실리콘과의 가격 격차가 좁혀지고 있어 더 많은 사업영역에서 활용될 전망이다. 이 시장은 현재 일본 스미토모와 RFHIC가 양분하고 있는데, RFHIC의 가격 경쟁력이 높아 향후 경쟁사보다 더 성장 가능성이 높다고 조 대표는 내다봤다.

RFHIC의 사업영역은 크게 무선통신부문과 방위산업부문으로 나눌 수 있다.

무선통신부문에서는 삼성전자, 화웨이, 노키아 등 글로벌 통신장비기업을 고객사로 하고 있으며 방위산업부문에서는 LIG넥스원, 록히드마틴, 해리스 등 국내외 다수 기업의 협력업체로 사업을 진행하고 있다. RFHIC의 지난해 매출액은 612억원으로 2015년 497억원 대비 100억원 이상 증가했다.

조 대표는 “2013~2014년까지 삼성전자향 매출이 주를 이뤘다면 이제는 화웨아, 노키아와 글로벌 방산업체 등과의 거래가 대부분의 매출을 차지하고 있다”고 전했다.

RFHIC의 제품은 무선통신 기지국, 초소형 기지국, 기상 레이더, 무인항공기, 항공교통관제레이더 등에 적용되고 있다. 록히드마틴(Lockheed Martin), 보잉(Boeing), 레이시온(Raytheon), 에어버스(Airbus), LIG넥스원 등 국내외 유수의 방산업체에 벤더로 등록돼 있다.

LIG넥스원에서 내년부터 양산하는 차기대포병탐지레이더, 무인 항공기 합성개구레이더 등에도 RFHIC의 부품이 들어간다고 조 대표는 강조했다.

RFHIC는 현재 GaN 트렌지스터를 250만개 생산하고 있으며 고객사 증가에 따라 안양 평촌에 생산시설을 확충했다. 또 미국 방산 시장 진출을 위해 노스캐롤라이나에 미국법인을 설립하고 현지 생산도 준비 중이다.

이와 함께 RFHIC는 차세대 신소재인 ‘GaN on Diamond’ 개발에도 박차를 가하고 있다. 다이아몬드 기반 GaN은 현재의 탄화규소 기반 GaN보다 사용 주파수가 높고 대역폭도 넓으며 열전도도도 4배 이상 높다는 것이 회사 측 설명이다.

올해 3월 NH스팩8호와 합병계약을 체결한 RFHIC는 합병으로 유입된 자금 142억원을 GaN 트랜지스터, 전력증폭기와 신소재 개발에 활용한다는 방침이다.

NH스팩8호와 RFHIC는 이달 말까지 합병 절차를 마무리할 예정이다. 합병 신주 상장 예정일은 오는 9월 1일이다.