전기·전자 SK하이닉스, D램 양산용 '차세대 노광장치' 도입···"업계 첫 사례" SK하이닉스가 네덜란드 ASML의 최신 High NA EUV 노광장치 트윈스캔 EXE:5200B를 업계 최초로 이천 M16팹에 도입했다. 기존 EUV 대비 1.7배 높은 정밀도와 2.9배 높은 집적도로 D램 등 메모리 반도체 생산 경쟁력을 강화하며, 고부가가치 시장과 AI 메모리 산업에서 선도적 입지를 다질 계획이다.