전기·전자

중국 CXMT, 4F²로 차세대 D램 도전···삼성·SK가 보는 양산 장벽

중국의 CXMT가 4F² 기술을 적용한 차세대 D램을 통해 메모리 시장에 도전한다. 기존 메모리 셀 면적을 줄여 집적도를 높이고자 하는 의도로, 연내에 서버용 DDR5 RDIMM 제품을 출시할 예정이다. 그러나 4F² 기술의 실제 양산에서는 수율 확보와 생산 안정성이 관건이 될 것이다. 삼성전자와 SK하이닉스도 4F²를 비롯한 차세대 D램 기술 개발에 박차를 가하고 있으며, 실제 경제성과 원가 경쟁력을 고려한 양산 체계가 중요하다는 분석이 나온다.

보도자료

SK하이닉스 HBM4E 샘플 공급···차세대 AI 메모리 경쟁 본격화

SK하이닉스가 차세대 AI용 초고성능 D램 'HBM4E' 12단 샘플을 주요 고객사에 공급했다. 최대 16Gbps 데이터 처리 속도와 20% 이상 개선된 전력 효율, 48GB 용량, MR-MUF 공정 등을 적용해 AI 데이터센터와 대규모 컴퓨팅 시스템의 처리 효율과 안정성을 대폭 강화했다. 삼성전자 역시 HBM4E 샘플을 출하하며 양사 간 주도권 경쟁이 본격화되고 있다.

전기·전자

삼성전자, '6세대 10나노' D램 양산 시동건다

삼성전자가 올해 말 차세대 D램인 6세대 10나노미터(㎚·10억분의 1m)급 D램을 양산한다. 3일 업계에 따르면 삼성전자는 지난달 미국 캘리포니아주 마운틴뷰에서 열린 글로벌 반도체 학회 '멤콘(MemCon) 2024'에서 이같은 양산 계획이 담긴 로드맵을 발표했다. 6세대 10나노급 D램의 구체적인 양산 일정을 제시한 회사는 삼성전자가 처음이다. 삼성전자는 2020년 10나노급 1세대 D램에 업계 최초로 적용한 극자외선(EUV) 공정을 고도화해 초미세 회로를 제