SK하이닉스는 올해 투자계획에 대해 “본원적 기술 경쟁력 강화를 목표로 해외법인을 포함하여 약 7조원의 시설투자를 할 것”이라고 26일 공시했다.
회사 측은 “주요 투자항목은 10나노급 DRAM 양산과 48단 및 72단 3D NAND 전개를 위한 투자와 중장기 경쟁력 강화를 위한 신규 클린룸 건설 및 관련 인프라 투자 등이다”고 밝혔다.
회사 측은 “주요 투자항목은 10나노급 DRAM 양산과 48단 및 72단 3D NAND 전개를 위한 투자와 중장기 경쟁력 강화를 위한 신규 클린룸 건설 및 관련 인프라 투자 등이다”고 밝혔다.
뉴스웨이 금아라 기자
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