전기·전자

SK하이닉스 안현 "또 다른 메모리 병목 시대"···3D 적층 D램·HBF로 돌파

SK하이닉스가 3D 적층 D램, 고대역폭플래시(HBF), 차세대 스토리지 기술을 통해 AI 메모리 시장을 새롭게 주도한다. HBM의 기술력을 토대로 새로운 메모리 계층을 구축하고 데이터 이동 효율성을 높여 AI 인프라의 성능을 최적화할 계획이다. 특히 3D 적층 D램은 연산장치 위에 직접 적층하여 데이터 전송 속도를 높이고 전력 소모를 줄이는 것이 특징이다.

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"수직 쌓기로 한계 극복"···SK하이닉스, '차세대 D램 로드맵' 공개

SK하이닉스가 차세대 D램 개발을 위한 중장기 기술 로드맵을 공개했다. 4F² VG 플랫폼 및 3D D램 등 첨단 기술을 바탕으로, 10나노 이하 미세 공정의 한계를 구조·소재 혁신으로 돌파하고자 한다. 이로써 경쟁력과 성장 동력을 확보할 계획이다.

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삼성전자, 美에 차세대 3D D램 연구개발 조직 신설

삼성전자가 미국 실리콘밸리에 있는 반도체 미주총괄(DSA)에 최첨단 연구개발 조직을 신설해 초격차 기술 경쟁력 확보에 나섰다. 28일 관련 업계에 따르면 삼성전자는 최근 DSA에 차세대 3차원(3D) D램 개발에 주력할 조직을 만들었다. 이 조직은 3D D램을 선제적으로 연구하고 개발할 계획이다. 실리콘밸리 우수 인력을 적극 영입하고 다양한 반도체 생태계와도 협력할 예정이다. 현재 D램은 단일 평면에 셀이 촘촘히 배치된 2D 구조다. 공정