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삼성전자·SK하이닉스, 최대 규모 시설투자···반도체 리더십 강화

삼성전자·SK하이닉스, 최대 규모 시설투자···반도체 리더십 강화

등록 2017.08.02 08:40

한재희

  기자

삼성전자는 올 상반기만 12조5200억 투자작년 한 해 투자 규모인 13조1500억원 수준SK하이닉스, 7조원에서 9조원으로 투자 늘려

삼성전자 평택캠퍼스 반도체 생산라인 외경. 사진=삼성전자 제공.삼성전자 평택캠퍼스 반도체 생산라인 외경. 사진=삼성전자 제공.

반도체 ‘슈퍼사이클’에 힘입어 최대 영업실적을 기록 중인 삼성전자와 SK하이닉스가 올해 최대 규모 시설투자를 이어간다. 이들의 투자는 2~3년 뒤를 대비한 선제적 투자로 반도체 리더십을 유지하기 위해서다.

2일 반도체 업계에 따르면 삼성전자와 SK하이닉스 등의 올해 투자 규모는 30조원을 넘어선다.

삼성전자는 올해 1분기에 5조200억원, 2분기에 7조5000억원을 집행해 반도체 부문 시설투자에 12조5200억 원을 쏟아 부었다. 작년(13조1500억 원)과 비교하면 상반기 투자액이 한 해 투자액과 비슷한 수준이다. 올 한해 투자금액이 20억 원을 넘어설 수도 있다는 전망도 나온다.

삼성전자는 우선 지난달 완공된 평택 반도체 공장에 2021년까지 약 37조원을 투자한다고 밝혔다. 이 공장에서는 4세대 낸드플래시가 생산되는데 삼성전자는 공장 완공과 함께 곧장 증설에 착수한 상태다. 또 중국 시안(西安) 공장에도 반도체 라인 추가 건설을 검토 중이다.

화성 공장에서는 평면 낸드플래시 생산라인을 V(수직)-낸드 생산라인으로 전환하는 투자가 이뤄지고 있다.

하반기에는 D램을 생산하는 화성 11라인의 일부를 이미지센서를 생산하는 라인으로 전환하는 작업에 들어간다.

또 파운드리(반도체 수탁생산) 사업부를 독립시킨 만큼 파운드리 사업에도 투자를 이어간다. 업계에서는 미세공정을 도입하는 쪽에 주로 투자를 집행할 것으로 전망한다.

SK하이닉스도 올해 역대 최대인 9조6000억 원을 투자할 계획이다. D램과 낸드플래시의 생산능력 증대가 목표다.

올해 초 7조원을 투자 계획을 알린 바 있는데 지난달 말 투자 규모를 2조6000억원 늘리겠다고 공시를 통해 밝혔다.

현재 짓고 있는 청주 공장과 중국 우시(無錫) 공장의 클린룸을 당초 계획보다 앞당긴 내년 4분기까지 구축하기로 했다.

다만 시장과 증권가 일각에서는 과잉투자에 대한 우려도 나온다. 시설투자가 이어져 생산능력이 높아지면 공급이 늘어나고 반도체 가격에 영향을 미친다는 이유에서다. 삼성전자와 SK하이닉스 영업이익 고공행진은 D램 등 가격이 계속해서 증가했기 때문이다.

이와 관련 이세철 NH투자증권 연구원은 “서버향 수요 강세 및 공정전환 난이도 증가에 따른 공급 제한으로 반도체 가격 강보합세는 지속될 저망”이라면서 “낸드 고정가도 SSD 수요 확대 속에서 상대적인 공급량 제한으로 가격 강세가 예상된다”고 말했다.

뉴스웨이 한재희 기자

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