D램 가격 상승·중국발 스마트폰 호조 영향중국의 대규모 투자 공세에 국내업체들 긴장“선진화된 미세공정 기술로 경쟁력 강화할 것”
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삼성전자 반도체 공장에서 근무하는 근로자들이 낸드플래시 제품을 들고 있다. 사진=삼성전자 제공
다만 중국 기업들이 공격적으로 투자를 확대해 당장 내년부터 직접적인 타격을 줄 가능성도 제기되고 있는 만큼 국내 기업들이 선진화된 기술력 확보를 위해 좀더 분발해야 한다는 지적도 나오고 있다.
이번 3분기 삼성전자는 반도체에서만 매출 13조원과 영업이익 3조5000억원을 기록했다. 영업이익 3조6600억원을 기록했던 지난해와 비교해 견조한 수준의 실적이다.
SK하이닉스도 매출 4조2436억원을 올려 영업이익 7260억원을 달성했다. 지난해보다 영업이익은 47.5%, 매출액은 13.8% 감소했지만, 전 분기보다는 영업이익과 매출액이 각각 60.3%, 7.7% 증가했다.
양사는 호실적의 배경에 주력 제품인 D램 가격이 오른 데다 중국 스마트폰의 고용량화 추세로 D램과 낸드플래시 수요가 상승한 점을 주된 요인으로 꼽았다. D램을 비롯해 낸드플래시 가격은 4분기에도 중국발 스마트폰 호조와 콘텐츠 증가 기조가 이어지면서 상승곡선을 그릴 것으로 전망되고 있다.
D램 가격이 상승한 가장 큰 요인은 수요대비 공급량이 늘지 않았기 때문이다. 반도체 업체들간 치열한 ‘치킨 게임’보다는 공급 과잉을 자제해 투자를 축소하고 공정미세화 지연 등으로 공급이 수요를 따라가지 못하면서 2년만의 호황기를 다시 맞이할 수 있었다.
낸드플래시 또한 수요가 폭발적으로 늘면서 가격이 오르고 있는 상황이다. 무엇보다 스마트폰 용량이 커지고 PC나 서버에서 저장장치로 쓰이던 하드디스크가 SSD로 급속히 교체되면서 3D낸드 플래시 시장도 호황을 지속할 것으로 예상되고 있다.
하지만 호황에도 반도체업체들은 중국을 긴장해야한다는 우려 섞인 목소리가 높다. 중국은 메모리반도체 국산화를 위해 대규모 투자를 벌이고 있기 때문이다. 앞서 중국 정부는 반도체분야 중점 육성을 위해 오는 2020년까지 총 53조7075억원을 투자할 계획이라고 밝힌 바 있다.
이에 국내업체들은 앞선 기술 경쟁력 강화로 격차를 벌여나가겠다는 입장이다. 이를 위해 삼성전자와 SK하이닉스 등은 10나노 미만까지 미세공정 기술을 진화시키겠다는 의지를 보였다.
삼성전자는 세계 최초로 10나노급 16Gb LPDDR4 모바일 D램 양산에 돌입한데 이어 올 하반기부터는 64단 V낸드플래시(3D낸드) 기반의 SSD 제품군을 출시해 메모리반도체 선두주자로 자리매김하겠다고 밝혔다.
또 반도체를 생산하는 평택 반도체 산업단지에 내년 중반까지 15조6000억원을 투자해 3D 낸드플래시 월 120만장의 생산능력을 갖출 계획이다.
SK하이닉스는 현재 주력 제품인 20나노 초반대 D램 비중을 늘리는 동시에 내년 상반기부터 10나노 후반대 D램 양산을 본격적으로 진행할 계획이다.
낸드 플래시는 2분기부터 생산을 시작한 2D 구조 14나노 제품 비중을 지속 확대하고 현재 제품 개발 및 인증 작업 중인 48단 3D 제품의 연내 판매를 목표로 내년 상반기 72단 3D 낸드플래시 개발을 완료할 계획이다. 투자는 하반기 3조원 수준의 설비투자를 단행하고 3D 낸드플래시를 집중 육성할 방침이다.
업계 한 관계자는 “국내 메모리반도체 산업은 공급능력, 공정기술, 가격과 품질면에서 세계 최고의 경쟁력을 확보하고 있다”며 “그러나 D램은 해외시장 여건에 민감하게 반응해 경기의 부침이 심하고 PC의 수요정체로 장기적인 시장 확대에 어려움이 있는 등 이제 성장한계에 직면해 있어 새로운 돌파구가 필요하다”고 말했다.
이어 “장기적인 측면에서 국내 기업들이 경쟁력을 갖추려면 비메모리기술개발에 대한 연구와 투자가 시급하다”며 “비메모리의 획기적 육성을 위해 핵심기술 개발과 전문인력 확충, 설계 전문기업의 저변 확대 등 범국가적인 차원에서 적극적 대책 마련이 필요하다”고 말했다.
이선율 기자 lsy0117@
뉴스웨이 이선율 기자
lsy0117@newsway.co.kr
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