삼성전자, ‘EUV 적용’ 14나노 D램 양산 돌입

삼성전자는 극자외선(EUV) 공정을 적용한 반도체 업계 최소 선폭의 14나노 D램(사진) 양산에 들어갔다고 12일 밝혔다.

삼성전자는 지난해 3월 업계 첫 EUV 공정을 적용한 D램 모듈을 고객사들에게 공급하고 있으며, 이번 신규 공정을 최신 DDR5(Double Data Rate 5) D램에 가장 먼저 적용한다.

5개의 레이어에 EUV 공정이 적용된 삼성전자의 14나노 D램은 업계 최고의 웨이퍼 집적도로 이전 세대 대비 생산성이 약 20% 향상됐다는 게 삼성 측 설명이다.

DDR5는 최고 7.2Gbps의 속도로 DDR4 대비 속도가 2배 이상 빠른 차세대 D램 규격이다. 최근 인공지능, 머신러닝 등 데이터를 이용하는 방식이 고도화 되면서 데이터센터, 슈퍼컴퓨터, 기업용 서버 시장 등에서 고성능 DDR5에 대한 수요가 지속 커지고 있다.

삼성전자는 고용량 데이터 시장 수요에 적극 대응하기 위해 이번 공정으로 단일 칩 최대 용량인 24Gb D램까지 양산할 계획이다.

삼성전자 메모리사업부 이주영 D램개발실장(전무)는 “고용량·고성능뿐만 아니라 높은 생산성으로 5G·AI·메타버스 등 빅데이터 시대에 필요한 최고의 메모리 솔루션을 공급해 나가겠다”고 말했다.