SK실트론, SiC 웨이퍼 생산능력 4배 '쑥'···매출 본격화

9월 미시간주 SiC 웨이퍼 신규 공장 가동

4분기 생산능력 전년 대비 4배 성장 예상

공급부족 지속···대형 고객사와 계약 논의 중

SK실트론이 미래 성장동력으로 키우고 있는 실리콘카바이드(SiC) 웨이퍼의 성장세가 본격화할 전망이다.

SK실트론이 2019년부터 시작한 SiC 웨이퍼는 차세대 전력반도체용으로 주목 받는 기초 소재다. 기존의 실리콘(Si) 웨이퍼 대비 고전압·고온 환경에서 동작이 가능한 것이 특징으로 전기차 시장의 성장과 함께 수요가 대폭 확대될 것으로 주목받고 있다.

22일 SK실트론에 따르면 SiC 웨이퍼 사업은 지난 9월 미국 미시간주에 위치한 신규 공장을 가동하면서 4분기 큰 폭의 외형성장이 기대되고 있다.

김양택 SK 첨단소재 투자센터 센터장은 최근 3분기 첨단소재사업 실적발표에서 "SiC 웨이퍼는 올해 연말이 되면 작년 대비 생산능력이 4배 성장할 것으로 예상되고 이에 따른 매출이 본격적으로 확대될 것"이라고 설명했다.

이는 전기차 및 재생에너지 확산에 따른 전력 효율 중요성이 심화되면서 EV용 인버터, 초급속 충전기, 태양광 인버터 등의 전력반도체 칩이 본격적으로 Si에서 SiC로 전환되고 있기 때문이다.

관련 업계에 따르면 전방시장의 성장으로 SiC 웨이퍼 수요는 2025년까지 매년 37% 이상의 큰 폭의 성장세가 나타날 것으로 기대되고 있다.

SK실트론은 SK그룹 내 웨이퍼-칩-고객사로 이어지는 전력반도체 밸류체인 구축의 핵심 계열사로 꼽힌다.

SK실트론은 2019년 9월 미국 듀폰사의 SiC 사업부 인수를 통해 후발주자임에도 빠른 시장 진입에 성공했다.

지난해 7월에는 미국 웨이퍼 증설을 위해 3억원을 투자한다고 발표했으며 지난해 11월에는 이보다 두 배 늘어난 6억 달러를 향후 5년간 투자한다고 발표했다.

김양택 센터장은 "SiC 웨이퍼의 경우 높은 수요 성장 대비 제한적인 공급 증가로 향후 공급부족이 예상되고 있다"며 "이러한 사업 기회에 대한 선제적 대응을 위해 SK실트론은 5년간 약 6억4000만 달러를 투입해 미국 미시간주에 단계별로 증설을 추진 중"이라고 밝혔다.

이 외에도 현재 6인치(150mm) SiC 웨이퍼 제품의 생산능력을 보유 중인 SK실트론은 2024년까지 8인치(200mm) 제품 양산 진입을 목표로 R&D 여건을 개선하기 위해 다양한 인프라 투자를 계획 중에 있다.

고영민 신한투자증권 책임연구원은 "SK실트론은 지난해 SiC 웨이퍼 시장점유율 4위에서 2025년 2위권으로 시장점유율 확대를 목표로 하고 있다"며 "중장기적으로 그룹 내 캡티브 마켓 형성 효과 등 계열사간 시너지를 통해 안정적이고 확실한 성장이 기대된다"고 말했다.

SK실트론은 전력반도체 관련 소재기업인 테라온 지분 취득에도 나섰다. 지난해 지분투자에 이어 올해 5월 테라온의 구주 3만4554주(119억6081만원)와 신주 9만4569주(250억원)을 취득했다. 추가 지분투자로 테라온 소유 지분율은 기존 10.77%에서 80.40%로 변경됐다.

SK실트론은 테라온 지분 인수를 통해 EV 및 연관소재산업에 진입, 시장을 선점해 사업 포트폴리오를 확장한다는 계획이다.

지주사 SK도 예스파워테크닉스 지분을 취득하며 SiC 전력반도체 사업에 힘을 보태고 있다.

SK는 올해 4월 예스파워테크닉스의 경영권 인수와 유상증자를 통해 지분율을 95.8%로 확대한다고 밝혔다. 예스파워테크닉스는 글로벌 선도 업체와의 경쟁이 가능한 1700V 급 고전압 모스펫 기술을 보유한 업체이다. 모스펫이란 전류의 양을 조절하는 고속 스위칭용 반도체 소자를 뜻한다.

전세계적으로 SiC 웨이퍼 공급 부족이 지속되고 있는 상황에서, 예스파워테크닉스는 SK실트론을 통해 안정적으로 SiC 웨이퍼를 공급받는 등 다양한 시너지가 기대된다.

김 센터장은 "SiC 웨이퍼 생산의 경우 Si 웨이퍼 대비 기술 난이도가 높아 글로벌 소수 업체만이 양산 기술을 보유 중"이라며 "현재 대형 고객사와 공급 계약을 협의 중이며 아직 외형 및 수익성이 크지 않지만 향후 스타 사업으로 성장할 것"이라고 말했다.