삼성전자, GAA 기반 3나노 양산 초읽기···내주 발표할듯

그래픽=박혜수 기자

삼성전자가 게이트올어라운드(GAA) 기반 3나노미터(㎚·10억분의 1ｍ) 반도체 공정 양산에 돌입한다.

글로벌 파운드리 시장 1위인 대만 TSMC보다 빠르게 3나노 반도체 양산에 나서며 위상을 강화한다는 방침이다.

22일 업계에 따르면 삼성전자는 다음주 중 차세대 GAA 기반 3나노 반도체 공정 양산을 공식 발표할 계획이다.

삼성전자는 지난달 조 바이든 미국 대통령이 삼성전자 평택공장을 찾았을 때 이 제품을 선보이기도 했다. 당시 바이든 대통령과 윤석열 대통령은 GAA 기반 3나노 시제품에 서명했다.

일부에서는 수율 문제로 삼성전자의 3나노 양산이 연기되는 것 아니냐는 우려가 제기됐으나 현재 일정에는 문제가 없는 것으로 확인됐다.

삼성전자 관계자는 "상반기 중 3나노 양산을 시작하겠다고 밝힌 일정은 차질없이 진행되고 있다"고 말했다.

한편 삼성전자는 1분기 파운드리 시장에서 역성장을 기록했다. 대만 트랜드포스에 따르면 삼성전자는 1분기 파운드리 시장에서 53억2800만 달러의 매출을 기록해 16.3%의 시장점유율을 거뒀다. 이는 지난해 4분기 대비 2%포인트 줄어든 수치다.

같은 기간 TSMC는 175억2900만 달러의 매출을 거둬 시장점유율이 지난해 4분기 52.1%에서 53.6%로 확대됐다. 양사간 격차는 33.8%포인트에서 37.3%포인트로 확대됐다.